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2024年度中国第三代半导体技术十大进展发布

2024年11月19日，第十届国际第三代半导体论坛&第二十一届中国国际半导体照明论坛（IFWS&SSLCHINA2024）在苏州盛大开幕，院士领衔，来自产业链各环节的超千人代表出席了开幕大会。开幕式上，举行了一系列活动，2024年度中国第三代半导体技术十大进展正式揭晓，备受关注。

第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长、国家新材料产业发展专家咨询委员会委员吴玲发布2024年度中国第三代半导体技术十大进展。

2024年，我国第三代半导体技术与产业发展日新月异。在快速变化的浪潮中，为了更好的把握行业前沿、凸显具有影响力和突破性的进展，为行业发展提供清晰视角，激励更多创新，大会程序委员会倡议，启动2024年度中国第三代半导体技术十大进展评选活动，截止11月10日通过自荐、推荐和公开信息整理等途径，共收到备选技术39项，经程序委员会投票、综合评议最终确定10项技术进展。

第三代半导体技术与产业正飞速发展，也为业界带来了黄金机遇。技术突破将带来性能卓越的产品，产业发展将催生大量合作，助力开拓出更多的新兴市场。

附：

2024年度中国第三代半导体技术十大进展

（排名不分先后）

1、6-8英寸蓝宝石基氮化镓中高压电力电子器件技术实现重大突破

2、垂直注入铝镓氮基深紫外发光器件的晶圆级制备

3、基于铟镓氮红光Micro-LED芯片的全彩显示技术

4、高功率密度、高能效比深紫外Micro-LED显示芯片

5、氮化镓缺陷引起的局域振动的原子尺度可视化

6、千伏级氧化镓垂直槽栅晶体管

7、2英寸单晶金刚石异质外延自支撑衬底实现国产化

8、8英寸碳化硅材料和晶圆制造实现产业化突破

9、国产车规级碳化硅MOSFET器件实现新能源汽车电驱应用

10、氮化镓基蓝光激光器关键技术取得产业化突破