半导体级MPCVD设备

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德盟特是国内MPCVD设备的领先供应商，提供业界最广泛的微波等离子化学气相沉积系统。这些设备已经交付多家研究单位，他们采用我们的系统在许多领域进行科学研究，从半导体制造到通信、国防、电子测量等广泛领域。

我们不仅为客户提供先进的CVD金刚石反应系统，还提供全面的客户支持、系统集成和售后服务。我们提供许多技术优势，包括验收测试安装、维护和修理、工艺和应用支持等技术咨询。常见产品见下表：

产品特点
采用水冷全金属腔体
简洁明了的用户图形界面
稳定的高功率、高密度等离子体
现场监测和诊断的多种采集端口
计算机控制的自动模式和手动个性化控制模式
应用
电子级单晶金刚石衬底
电子级单晶金刚石衬底外延
光学级多晶金刚石衬底
高品质培育钻石
切削工具

01. DH6A—MPCVD

常规配置及参数
电源输入 : 三相 380V (±10%), 15KVA
微波电源功率: 6KW（2.45GHz）
样品台 : 8英寸水冷铜台
腔体生长压力: 10-200Torr
气体管路 : 标配4路（H2、O2、CH4、N2）
反应腔体 : 卧式蝶形上翻盖金属水冷腔体
（带4个观察窗）
主机柜尺寸 : 900mm(W)×850mm(D)×1680mm(H)
（约320Kg）
控制柜尺寸 : 570mm(W)×850mm(D)×1800mm(H)
（约240Kg）
StandardSpecifications


02. DH5S—MPCVD

常规配置及参数
电源输入 : 三相 380V (±10%), 15KVA
微波电源功率: 6KW（2.45GHz）
样品台 : 2英寸可升降水冷台
腔体生长压力: 10-200Torr
气体管路 : 标配4路（H2、O2、CH4、N2）
反应腔体 : 不锈钢柱形双层水冷腔体
（带5个观察窗）
主机柜尺寸 : 1500mm(W)×700mm(D)×2100mm(H)
（约380Kg）
控制柜尺寸 : 570mm(W)×850mm(D)×1800mm(H)
（约240Kg）
StandardSpecifications


03. DH10A—MPCVD

常规配置及参数
电源输入 : 三相 380V (±10%), 15KVA
微波电源功率: 10KW（2.45GHz）
样品台 : 8英寸水冷铜台
腔体生长压力: 10-200Torr
气体管路 : 标配4路（H2、O2、CH4、N2）
反应腔体 : 卧式蝶形上翻盖金属水冷腔体
（带4个观察窗）
主机柜尺寸 : 900mm(W)×850mm(D)×1680mm(H)
（约320Kg）
控制柜尺寸 : 570mm(W)×850mm(D)×1800mm(H)
（约240Kg）
StandardSpecifications


04. DH15A-MPCVD

常规配置及参数
电源输入 : 三相 380V (±10%), 15KVA
微波电源功率: 15KW（2.45GHz）
样品台 : 8英寸水冷铜台
腔体生长压力: 10-200Torr
气体管路 : 标配4路（H2、O2、CH4、N2）
反应腔体 : 卧式蝶形上翻盖金属水冷腔体
（带4个观察窗）
主机柜尺寸 : 900mm(W)×850mm(D)×1680mm(H)
（约320Kg）
控制柜尺寸 : 570mm(W)×850mm(D)×1800mm(H)
（约240Kg）
StandardSpecifications


05. DH75A—MPCVD

常规配置及参数
电源输入 : 三相 380V (±10%), 15KVA
微波电源功率: 75KW (915 MHZ)
样品台 : 8英寸水冷铜台
腔体生长压力: 10-200Torr
气体管路 : 标配4路（H2、O2、CH4、N2）
反应腔体 : 卧式蝶形上翻盖金属水冷腔体
（带6个观察窗）
StandardSpecifications


如您有在金刚石半导体级MPCVD设备方面有特殊要求，请与我们联系，我们将根据每位客户需求，定制合适的MPCVD设备。常规选配方案见下表：

常规配置及参数
1 : 反应气体通路（可根据用户需求增配，最多6路）
2: 干泵
3 : 双波长红外测温仪（475-1475℃）
4: 消隐式光学高温计（800-2850℃）
5 : 等离子体光学波谱分析仪
6 : 设备自动/手动操作平台

电子级单晶金刚石衬底

钻石级单晶金刚石衬底和钻石毛坯

金刚石应用：光学窗口、散热、器件

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